n 基本情况：

罗向东, 男，理学博士，教授，博士生导师。现任职于江苏南通大学微电子学院，主要从事弱信号探测技术与TIADC系统的研究与实现。从 2000 年开始，在中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室攻读硕士和博士期间，跟随导师徐仲英研究员从事半导体物理与器件研究。从 2001 年开始，先后在香港科技大学物理系、瑞典林雪平大学磁共振国际研究中心、韩国岭南大学化工系清洁能源组从事半导体光谱与新型半导体材料研究。申请人已经发表学术论文七十多篇。其中, 以第一作者发表的三篇 Applied Physics Letters 和一篇 Journal of Applied Physics 已经被引用上百次次。项目申请人 2003 年获中国科学院院长奖学金优秀奖，2004 年获中科院优秀博士论文 (1/50)。2011 年作为第一申请人获得一项南通市科学技术进步三等奖。2004 年获得一项江苏省青年科技创新人才项目(批准号：BK2004403, 已结题), 2006 年获得一项国家自然科学基金青年科学基金项目(批准号：50602044, 已结题), 2008 年获得一项江苏省高校重大基础研究计划项目(批准号：08KJA510002)。2008 年作为南通大学重点人才培养对象获得南通大学创新人才计划资助(资助额度：30 万)。2014年获得一项国家自然科学基金面上项目（批准号：61474067），主要研究二维材料的高阶临界点测试与技术。2019年与北京大学沈波老师合作主要参与一项国家自然科学基金仪器重点项目（批准号：61927806）。

受教育经历

> 1994.09-1998.07 北京科技大学 材料物理系 金属物理专业 获学士学位  

> 1998.09-2003.06 中科院半导体研究所 超晶格国家重点实验室 获博士学位

研究工作经历

> 2001.02-2001.05 香港科技大学 物理系 葛惟昆教授、王建农教授光学实验室，职务：研究助理Sinica, 2005, 54(5): 2385-2388

>2002.03-2002.05 香港科技大学 物理系 葛惟昆教授、王建农教授光学实验室，职务：研究助理

>2003.09-2003.12 瑞典林雪平大学 磁共振研究中心，职务：访问学者，合作导师：陈伟民教授

>2004.01- 南通大学 微电子学院，职务：教授

>2005.06-2006.06 香港科技大学 物理系 王建农教授实验室，职务：研究助理

>2009.01-2009.04 韩国岭南大学化工系清洁能源组，访问学者，合作导师：Chinho Park 教授

主要科研项目

[1] III-V-N族新型光电子材料中N的独特行为（BK2044403），江苏省自然科学基金经费10万，2005.01-2007.12（项目负责人）

[2]难熔金属氮化物和硅化物同GaN/AlGaN界面高温稳定性及其对器件特性影响（50602044），国家自然科学基金青年项目，经费25万，2007.01-2009.12(项目负责人)

[3]高压LDMOS器件设计与仿真（K2008024），南通市自然科学基金，经费3万，2009.01-2011.06(项目负责人)

[4]高压LDMOS器件设计与IC集成（08KJA510002）江苏省高校自然科学重大项目，经费15万，2009.01-2011.12(项目负责人)

[5]基于紫外光的交通短程通信系统研究（2013319813100），交通运输部自然科学主干学科项目，经费20万，2013.01-2015.06（项目负责人）

[6]二维薄层晶体材料的显微共焦光调制反射光谱研究（61474067），国家自然科学基金面上项目，经费78万，2015.01-2018.12(项目负责人)

[7]深紫外时间和空间分辨压力光谱系统研制（61927806）, 国家自然科学基金仪器重点项目，2020.01- 2024.12，792万（北京大学、南通大学、中科院半导体研究所、上海大学）（南通大学负责人：罗向东， 经费52.8万）

指导学生情况

个人指导硕士研究生30余位并顺利毕业

团队指导硕士研究生80余位并顺利毕业

n 主讲课程：

    《MEMS技术》、《物理光学》、《固体物理》、《半导体物理》

n 主要成果：

[1] Zhang J W, Zhou Y X, Zhao J Q, Niu G S, and Luo X D*. Joint Error Estimation and Calibration Method of Memory Nonlinear Mismatch for a Four-Channel 16-Bit TIADC System[J]. Sensors, 2022, 22: 2427

[2] Niu G S, Liu C, Zhang J W, Li X T, Luo X D*. Research Progress of Time-interleaved Analog-to-Digital Converters[J]. Integration, the VLSI journal, 2021, 81: 313-321.

[3] 罗向东，刘聪. 由3路继电器控制4路信号通断的逻辑系统及控制方法. ，专利号：ZL201910302013.7，授权公告：2020 年 4 月 07 日

[4] Zhang C, Li T, Wen W, Luo X D**, Zhao L J*. Highly enhanced photoluminescence from perovskite-semiconductor composites formed by CsPbBr3 nanocrystals embedded in ZnSe microsphere[J]. Journal of Luminescence, 2020, 221: 117081.

[5] Sha W, Zhang J C, Tan S X, LUO X D*. III-nitride piezotronic/piezo-phototronic materials anddevices[J]. J. Phys. D, 2019, 52(21):213003

[6] Liu Xue-Lu, Wu Jiang-Bin, Luo Xiang-Dong*, Tan Ping-Heng**. Dual-modulated photoreflectance spectra of semi-insulating GaAs[J]. Acta. Phys. Sin. 2017, 66(14):  147801

[7] Xiaowen Yuan, Qi Wang, Liaoxin Sun,Senlin Li, C. Q. Chen, X. D. Luo*, Bo Zhang**. Competitive emissions of InAs (QDs)/GaInAsP/InP grown by GSMB[J].Appl. Phys. A, 2015, 119(1):193-199

[8] Peisheng Liu, Xiaolong Zhang, Ling Sun, Shanshan Dai, Chenhui Yu, Xiangdong Luo*. Optimization of Rear Local Al-Contacts on High Efficiency Commercial PERC Solar Cells with Dot and Line Openings[J]. Journal of Nanomaterials, 2014, 2014: 515969, 5 pages

[9] WANG Qi, ZHU Xiao-Feng, YUAN Xiao-Wen, CHEN Chang-Qing*, LUO Xiang-Dong**, ZHANG Bo*. A Sub-Wavelength Near-Field Metal Detection by an On-Chip Spintronic Technique[J]. CHIN. PHYS. LETT.2013, 30 (12) : 128501

[10] Shanshan.dai, Gaojie.zhang, Xiangdong.luo*, Jingxiao.Wang, Wenjun.Chen, and Yue Ma. The Effect of Al-BSF on Seff and Rb in Industrialized Monosilicon Solar Cells[J]. Advanced Materials Research, 2012, 472-475 (2012): 1846-1850

[11] 谭平恒，徐仲英，罗向东，葛惟昆，探测半导体能带结构高阶临界点的新方法，专利号：ZL200510130769.6，授权公告：2009 年 4 月 22 日，授权公告号：CN 100480683 C

[12] 罗向东, 刘培生, 徐炜炜, 谭平恒, 蔡伟平，新型掺氮半导体与复杂纳米结构材料的研究, 2011 年南通市科技进步三等奖

[13] Xiangdong Luo, Peisheng Liu, Nguyen Tam Nguyen Truong, Umme Farva, and Chinho Park, Photoluminescence Blue-Shift of CdSe Nanoparticles Caused by Exchange of Surface Capping Layer. J.Phys. Chem. C, 2011, 115: 20817–20823

[14] Xiang Dong Luo, Umme Farva, Nguyen Tam Nguyen Truong, Kyung Soo Son, PeiSheng Liu, Chihaya Adachi, Chinho Park, Synthesis and characterization of CdSe nanocrystals capped with TOPO and pyridine J. Crystal Growth, 2012, 339: 22–30

[15] X. D. Luo et al. Red organic light-emitting devices based on a pentacene derivative. Current Applied Physics. 2011, 11(3):844-848

[16] X. D. Luo et al. Selectively-excited Photoluminescence in nc-Si:Er. Transactions of NUAA, 2008, 25(4)：318-323

[17] P. H. Tan, X. D. Luo, Z. Y. Xu, et al, Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAsN alloys: A microphotoluminescence study. Phys. Rev. B, 2006, 73, 205205

[18] P. H. Tan, Z. Y. Xu,X. D. Luo et al. Resonant Raman scattering with the E+ band in a dilute GaAs1-xNx alloy (x=0.1%). Appl. Phys. Lett., 2006, 89, 101912

[19] P. H. Tan, Z. Y. Xu, X. D. Luo et al. Unusual carrier thermalization in a dilute GaAs1-xNx alloy, Appl. Phys. Lett., 2007, 90, 061905

[20] X. D. Luo, et al. Low energy oscillatory phenomena in photoreflectance and photo-modulation reflectance spectra of GaMnAs films grown by low temperature molecular-beam epitaxy, Acta Physica Sinica, 2008, 57(8): 5277-5283

[21] X. D. Luo, J. S. Huang, Z. Y. Xu, C. L. Yang, J. Liu, W.K. Ge, Y. Zhang,A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Alloy States in Dilute GaAs1-xNx Alloy (x<1%), Appl. Phys. Lett., 2003, 82: 1697-1699.

[22] X. D. Luo, P. H. Tan, Z. Y. Xu, W. K. Ge, Selectively Excited Photoluminescence of GaNAs/GaAs Single Quantum Wells, J. Appl. Phys., 2003, 94: 4863-4865.

[23] X. D. Luo, C. Y. Hu, Z. Y. Xu, H. L. Luo, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, Selectively Excited Photoluminescence of GaAs1-xSbx/GaAs Single Quantum Wells. Appl. Phys. Lett.,2002, 81: 3795-3797.

[24] X. D. Luo, Z.Y. Xu, B. Q. Sun, W. K. Ge,Z. Pan, L. H.Li, and Y. W.Lin, Photoluminescence Properties of GaN0.015As0.985/GaAs Single Quantum Wells under Short Pulse Excitation. Appl. Phys. Lett., 2001, 79: 958-960. Colletcted by “Lasers, Optics, and Optoelectronics”, AIP.

[25] X. D. Luo, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, W. X. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge. Abnormal Effect of Growth Interruption on GaSb Quantum Dots Formation Grown by Molecular Beam Epitaxy. J. Crystal. Growth., 2003, 247: 99-104.

[26] X. D. Luo, C. L. Yang, J. S. Huang, Z. Y. Xu, et al, Optcial Study of Electronic States in GaAsN, COMMAD-2002, Sydney, Dec. 2002.

[27] X. D. Luo, Z. Y. Xu, B. Q. Sun, Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin and W. K. Ge, Optical Transitions in GaAsN/GaAs Single Quantum Wells. Proc. of Int. Workshop on Nitride Semiconductors (Tokyo, Japan), 2000, IPAP Conf. Series 1, 677-678.

[28] LUO Xiang-Dong, XU Zhong-Ying, PAN Zhong, LI Lian-He, LIN Yao-Wang, GE Wei-Kun, Optical Properties and Band Lineup in GaNxAs1-x/GaAs Single Quantum Wells. J. Infrared Millin. Waves, 2001, 20: 25-28

[29] Luo Xiang-Dong, Bian Li-feng, Xu Zhong-Ying, Luo Hai-lin, Wang Yu-Qi, Wang Jiang-Nong, and Ge Wei-Kun. Study of Optical Properties in GaAs1-xSbx/GaAs Single Quantum Wells. Acta Physica Sinica, 2003, 52(7): 1761-1765

[30] X. D. Luo, Z. Y. Xu, W. K. Ge, Exciton Localization and Delocalization in GaNAs/GaAs Quantum Wells. Chinese J. of Luminescence, 2002, 23, 109-112

[31] X. D. Luo, Z. Y. Xu, P. H. Tan, et al. Optical properties and exciton localization in GaNas/GaAs, J. Infrared and Millimeter Waves, 2005, 24(3): 185-188

[32] X.D.Luo, B.H.Sun, Z.Y.Xu, Optical properties of alloy states in GaNxAs1-x (x<0.01), Acta Physica Sinica, 2005, 54(5): 2385-2388