报告嘉宾：欧欣 硅基材料与集成器件实验室主任，二级研究员
报告题目：面向5G/6G射频及光子芯片的压电异质集成（POI）技术
报告时间：4月30日周二10:30-11:30
报告地点：24号楼E202报告厅
报告人简介：
欧欣，硅基材料与集成器件实验室主任，二级研究员，国家科技创新领军人才，中国青年科技奖获得者，国家自然科学基金重大项目首席，三项国家重点研发计划首席。先后入选国家级科技创新领军人才、国家优青、中科院高层次人才计划（终期优秀）、中科院王宽诚率先人才计划“卢嘉锡国际团队”带头人、中科院上海分院杰出青年创新人才、中科院优秀导师、上海市优秀学术带头人、上海市领军人才（海外）、上海市浦江人才等。国家第三代半导体创新中心技术委员会委员，IEEE高级会员，IEEE IUS（国际超声顶会）TPC委员。长期从事集成电路核心材料SOI技术研究，在此基础上发展了基于“万能离子刀”技术的异质集成XOI材料与器件研究方向，研究成果为5G/6G射频滤波器、光电、功率芯片提供创新的异质集成材料和器件方案，并在5G射频芯片、光芯片等领域获得产业应用。先后发表SCI/EI论文近200篇，其中125篇以第一/通讯作者发表在 Nature、Nature Com.、PRL、Adv. Mater.、Nano Lett. (2)、Light (3)、Optica、Appl. Phys. Rev.等著名期刊及IEEE顶会包括IEDM (3)、IMS (2)、MEMS (6)、IUS(15) 等；参著三本英文专著和两本中文专著；申请专利230余件，已授权100余件，成果转化44件；作为首任大会主席发起国内第一届射频滤波器创新技术大会，并形成该领域重要创新论坛。先后获得全国颠覆性技术创新大赛总决赛优胜奖、北京市科技进步一等奖（2）、中国电子学会技术发明一等奖（2）、中国电工学会科技进步奖、中国产学研合作创新奖、中国光学十大进展、中国半导体十大研究进展提名奖、中科院上海分院科技创新十大进展、国际离子束与材料改性IBMM Prize、国际离子注入技术青年科学家奖、国际IEEE微波奖等荣誉。