近日，我院张傲副教授，在研究半导体器件建模方面取得进展，面向毫米波通信技术的发展和应用需求，对GaN肖特基二极管模型进行了研究，相关研究成果以“GaN Schottky Barrier Diode (SBD) Modeling and Parameter Extraction for Multicathode Application”为题发表在IEEE期刊《IEEE Transactions on Electron Devices》上，南通大学微电子学院为第一单位。
研究提出了一种GaN肖特基二极管可缩放大信号等效电路模型，以肖特基二极管的阴极数目作为归一化因子，并分别给出了寄生模型参数、本征模型参数和直流模型参数的可缩放规则。实验结果表明，在0.1-40GHz频率范围内，模拟和测试结果吻合很好，验证了可缩放模型的正确性，为毫米波频段芯片研制提供模型支撑。