5月9日至12日，2026中国电子学会微波周在深圳举行。南通大学微电子学院硕士研究生冯长乐发表的论文“改进的InP HBT截止频率和最大振荡频率确定方法”荣获2026年微波毫米波会议（NCMMW）三等奖，指导教师为张傲副教授。
中国电子学会微波周是我国微波领域级别高、规模大的学术盛会，由微波毫米波会议（NCMMW）、国际微波毫米波技术会议（ICMMT）、IEEE MTT-S国际无线会议（IWS）和微波毫米波科技成果及产品展（MWIE）组成，为国内外微波毫米波领域的科学家和工程技术人员提供了广泛交流科研成果和最新进展的重要平台。
本届微波毫米波会议（NCMMW）以“微波赋能，智联未来”为使命，会议学术探讨覆盖电磁场理论与技术、微波毫米波太赫兹器件/系统/测量、低空经济、6G通信、AI赋能电磁设计、电磁调控与感知、雷达探测、无线能量传输等43个前沿主题，汇聚来自115所高校院所和企业的442篇精选论文，为青年学者和研究生展示创新成果、交流学术思想提供了重要平台。本届NCMMW学生比赛共评选出获奖论文6篇，其中一等奖1篇、二等奖2篇、三等奖3篇，冯长乐发表的论文从参赛作品中脱颖而出，荣获三等奖。
冯长乐获奖证书
冯长乐发表的论文“改进的InP HBT截止频率和最大振荡频率确定方法”面向毫米波及亚太赫兹集成电路中高频高速器件建模需求，围绕磷化铟异质结双极晶体管（InP HBT）截止频率fT和最大振荡频率fmax的精准确定问题开展研究。论文建立了考虑分布效应的小信号等效电路模型，推导了考虑寄生电阻影响的fT和fmax解析表达式，并提出了基于基极电流密度的频率特性可缩放规则，实现了InP HBT关键高频性能的准确表征与预测。该工作为同一工艺条件下不同尺寸InP HBT器件的模型参数预测和性能评估提供了有效方法，可为高频器件建模、毫米波电路设计和器件工艺优化提供参考。
近年来，微电子学院紧密围绕集成电路和电子信息产业发展需求，持续加强研究生科研训练，鼓励学生面向学科前沿和工程应用开展创新研究。学院将继续深化科研育人机制，搭建高水平学术交流与创新实践平台，助力学生在服务国家集成电路产业发展和电子信息技术创新中成长成才。